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DMS3019SSD
10,000
1,000
C iss
C oss
f = 1MHz
10,000
1,000
100
T A = 125°C
T A = 85°C
100
C rss
10
T A = 25°C
10
0
5 10 15 20 25
30
1
0
10
20
30
10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Total Capacitance
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
8
V DS = 15V
I D = 12.7A
6
4
2
0
0
5
10 15 20 25 30 35 40
45
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate-Charge Characteristics
DMS3019SSD
Document number: DS35053 Rev. 2 - 2
5 of 10
www.diodes.com
October 2010
? Diodes Incorporated
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